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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 47A, D2-PAK 新74755-24￥6.709525-49￥6.212550-99￥5.8646100-499￥5.7155500-2499￥5.61612500-4999￥5.49195000-9999￥5.4422≥10000￥5.3676 -
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品类: 功率二极管描述: 双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier509510-99￥6.4560100-499￥6.1332500-999￥5.91801000-1999￥5.90722000-4999￥5.86425000-7499￥5.81047500-9999￥5.7674≥10000￥5.7458 -
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品类: 肖特基二极管描述: 高性能肖特基整流器，16A 至 25A，Vishay Semiconductor 肖特基整流器是半导体二极管，具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor58655-24￥3.105025-49￥2.875050-99￥2.7140100-499￥2.6450500-2499￥2.59902500-4999￥2.54155000-9999￥2.5185≥10000￥2.4840 -
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品类: 肖特基二极管描述: 肖特基整流器， 2 ×3一 Schottky Rectifier, 2 x 3 A64275-24￥3.645025-49￥3.375050-99￥3.1860100-499￥3.1050500-2499￥3.05102500-4999￥2.98355000-9999￥2.9565≥10000￥2.9160 -
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品类: SCR晶闸管描述: ON SEMICONDUCTOR MCR72-6TG 可控硅晶闸管, 400V, TO-220AB59115-24￥5.454025-49￥5.050050-99￥4.7672100-499￥4.6460500-2499￥4.56522500-4999￥4.46425000-9999￥4.4238≥10000￥4.3632 -
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品类: 双极性晶体管描述: 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 4 MHz, 25 W, 1.5 A, 40 hFE84745-24￥2.659525-49￥2.462550-99￥2.3246100-499￥2.2655500-2499￥2.22612500-4999￥2.17695000-9999￥2.1572≥10000￥2.1276 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 晶体管，Infineon (IR) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。98925-24￥3.928525-49￥3.637550-99￥3.4338100-499￥3.3465500-2499￥3.28832500-4999￥3.21565000-9999￥3.1865≥10000￥3.1428 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R500CEXKSA1, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装18585-24￥3.240025-49￥3.000050-99￥2.8320100-499￥2.7600500-2499￥2.71202500-4999￥2.65205000-9999￥2.6280≥10000￥2.5920 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 75V 89A 3Pin(3+Tab) TO-220AB26415-49￥12.191450-199￥11.6704200-499￥11.3786500-999￥11.30571000-2499￥11.23282500-4999￥11.14945000-7499￥11.0973≥7500￥11.0452 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8Pin SOIC Tube69485-24￥4.941025-49￥4.575050-99￥4.3188100-499￥4.2090500-2499￥4.13582500-4999￥4.04435000-9999￥4.0077≥10000￥3.9528 -
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品类: MOS管描述: N沟道 30V 21A957310-99￥8.7360100-499￥8.2992500-999￥8.00801000-1999￥7.99342000-4999￥7.93525000-7499￥7.86247500-9999￥7.8042≥10000￥7.7750 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 60V 160A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube635710-99￥9.4080100-499￥8.9376500-999￥8.62401000-1999￥8.60832000-4999￥8.54565000-7499￥8.46727500-9999￥8.4045≥10000￥8.3731 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFSL4510PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 100 V, 0.0113 ohm, 10 V, 3 V65935-24￥3.159025-49￥2.925050-99￥2.7612100-499￥2.6910500-2499￥2.64422500-4999￥2.58575000-9999￥2.5623≥10000￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube19945-49￥13.560350-199￥12.9808200-499￥12.6563500-999￥12.57521000-2499￥12.49402500-4999￥12.40135000-7499￥12.3434≥7500￥12.2854 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.9 V40995-49￥12.753050-199￥12.2080200-499￥11.9028500-999￥11.82651000-2499￥11.75022500-4999￥11.66305000-7499￥11.6085≥7500￥11.5540 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220封装91375-49￥13.993250-199￥13.3952200-499￥13.0603500-999￥12.97661000-2499￥12.89292500-4999￥12.79725000-7499￥12.7374≥7500￥12.6776 -
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品类: MOS管描述: STF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP597110-99￥11.6040100-499￥11.0238500-999￥10.63701000-1999￥10.61772000-4999￥10.54035000-7499￥10.44367500-9999￥10.3662≥10000￥10.3276 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装80425-24￥2.808025-49￥2.600050-99￥2.4544100-499￥2.3920500-2499￥2.35042500-4999￥2.29845000-9999￥2.2776≥10000￥2.2464 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Schottky 100V 30A 3Pin TO-220AB Tube994010-99￥7.2240100-499￥6.8628500-999￥6.62201000-1999￥6.61002000-4999￥6.56185000-7499￥6.50167500-9999￥6.4534≥10000￥6.4294 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装24021-9￥48.812210-99￥46.0115100-249￥43.9310250-499￥43.6109500-999￥43.29081000-2499￥42.93072500-4999￥42.6107≥5000￥42.4106 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。37775-49￥20.439950-199￥19.5664200-499￥19.0772500-999￥18.95501000-2499￥18.83272500-4999￥18.69295000-7499￥18.6056≥7500￥18.5182 -
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品类: 功率二极管描述: 二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 40 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚77825-49￥14.847350-199￥14.2128200-499￥13.8575500-999￥13.76871000-2499￥13.67982500-4999￥13.57835000-7499￥13.5149≥7500￥13.4514 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube69461-9￥37.942010-99￥35.7650100-249￥34.1478250-499￥33.8990500-999￥33.65021000-2499￥33.37032500-4999￥33.1215≥5000￥32.9660 -
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品类: 肖特基二极管描述: 整流器二极管，WeEn Semiconductors ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。37935-24￥6.547525-49￥6.062550-99￥5.7230100-499￥5.5775500-2499￥5.48052500-4999￥5.35935000-9999￥5.3108≥10000￥5.2380 -
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品类: MOS管描述: INFINEON AUIRF3305 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V573010-99￥6.0120100-499￥5.7114500-999￥5.51101000-1999￥5.50102000-4999￥5.46095000-7499￥5.41087500-9999￥5.3707≥10000￥5.3507 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68NC951210-99￥8.7360100-499￥8.2992500-999￥8.00801000-1999￥7.99342000-4999￥7.93525000-7499￥7.86247500-9999￥7.8042≥10000￥7.7750 -
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品类: MOS管描述: N沟道 30V 13A213610-99￥8.7360100-499￥8.2992500-999￥8.00801000-1999￥7.99342000-4999￥7.93525000-7499￥7.86247500-9999￥7.8042≥10000￥7.7750 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。38225-24￥4.374025-49￥4.050050-99￥3.8232100-499￥3.7260500-2499￥3.66122500-4999￥3.58025000-9999￥3.5478≥10000￥3.4992 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。14571-9￥43.456410-99￥40.9630100-249￥39.1108250-499￥38.8258500-999￥38.54081000-2499￥38.22032500-4999￥37.9353≥5000￥37.7572
